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Si7460DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.020
0.016
25 °C, unless otherwise noted
5000
4000
C iss
0.012
0.008
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
3000
2000
0.004
0.000
1000
0
C rss
C oss
0
8
16
24
32
40
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 30 V
I D = 18 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 18 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
20
40
60
80
- 50
- 25
0
2 5
5 0
7 5
100
125
150
40
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.020
0.016
0.012
T J - Junction Temperature ( °C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
I D = 18 A
0.008
T J = 25 °C
0.004
1
0.000
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72126
S09-0227-Rev. D, 09-Feb-09
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
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